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C6D06065Q-TR-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

C6D06065Q-TR-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，DFN-5B封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）低至1.32V。依托碳化硅半导体材料，具备出色的热稳定性和极快的开关速度，反向恢复时间短，漏电流小。适用于高效率、高频率的