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C6D06065G-TR-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

C6D06065G-TR-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-263封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管采用独立式结构，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中等功率电力转换应用。其正向导通压降（VF）低至1.36V，有效降低导通损耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温稳定性与快速开

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MPN: C6D06065G-TR-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/C6D06065G-TR-HXY

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