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C4D08120E-TR-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

C4D08120E-TR-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-252-2L封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，正向压降（VF）为1.45V。基于碳化硅材料，具备出色的耐高压与高温性能，反向漏电流低，开关速度快，反向恢复时间极短。适用于高电压、

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MPN: C4D08120E-TR-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252-2L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/C4D08120E-TR-HXY

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