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C3M0040120J1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

C3M0040120J1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7L封装，询盘确认库存，本款碳化硅N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的电学性能，漏极电流ID为68A，漏源击穿电压VDSS达1200V，导通电阻RDON仅为40mΩ，支持高效、低损耗的电力传输。基于碳化硅材料的优势

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MPN
C3M0040120J1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-263-7L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/C3M0040120J1-HXY
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