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BNT15N10 BORN(伯恩半导体) 现货与清单询价

BNT15N10，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-2封装，询盘确认库存，特性：VBR(DSS) = 100V。ID = 15A。RDS(ON)@10V, TMP = 88mΩ。沟槽技术功率MOSFET。低RDS(ON)。低栅极电荷。应用：功率开关应用。MB/VGA Vcore

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MPN: BNT15N10
品牌/制造商: BORN(伯恩半导体)
封装: TO-252-2
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/BNT15N10

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