图片按封装类型匹配，仅供识别包装形态，实物与批号请以询价确认结果为准。
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库存询盘确认
封装DFN-1006-2L
资料官方资料可核对
建议提交需求核库存
DFN-1006-2L
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适合先暂存再批量核价
01型号识别BDFN2C071V45
02库存/封装询盘确认 · DFN1006-2L
03批量处理暂存、对比或转入 BOM
04询价确认批号、包装、交期和检测资料
带入 BOM
库存 资料 封装
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BDFN2C071V45 BORN(伯恩半导体) 现货与询价
BDFN2C071V45，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-1006-2L封装，询盘确认库存，TVS二极管(ESD) 0402封装 双向7V ESD静电保护管 IPP=40A
- 型号
- BDFN2C071V45
- 品牌
- BORN(伯恩半导体)
- 制造商
- BORN(伯恩半导体)
- 分类
- 三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 封装
- DFN-1006-2L
- 批号
- -
- 库存状态
- 询盘确认
- 报价方式
- 询盘报价
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先把 BDFN2C071V45 放入采购台
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询盘库存
DFN-1006-2L主封装
BORN(伯恩半导体)品牌
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BUYER CHECK
采购确认清单
当前为可询库存，提交需求后确认数量、批号和交期。
采购前核对制造商数据手册、封装尺寸、温度等级和订购料号。
DFN-1006-2L 是当前主封装识别结果，完整封装/包装仍以询价确认结果为准。
NEXT STEP
继续找料与替代
同封装DFN-1006-2L
同品牌BORN(伯恩半导体)
同类目三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
封装页DFN-1006-2L
品牌页BORN(伯恩半导体)
BOM带入当前型号
从搜索引擎进入的采购用户，可在这里继续横向比较封装、品牌和同类目现货。
商品参数
| 极性 | 双向 |
|---|---|
| 反向截止电压(Vrwm) | 7V |
| 钳位电压 | 12V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 40A@8/20us |
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Prisemi(芯导) PESDNC2FD8VB可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如快速响应时间、低工作电压。在不适合使用阵列的应用中，它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。
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库存 询盘确认DFN-1006-2LESD5411N-2/TR
WILLSEMI(韦尔) ESD5411N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件因静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力损坏。ESD5411N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5411N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。
库存 询盘确认DFN-1006-2LH5VL10BE
R+O(宏嘉诚) 特性：低泄漏电流。低钳位电压。IEC 61000-4-2（ESD 空气放电）：±20 kV。IEC 61000-4-2（ESD 接触放电）：±20 kV。IEC 61000-4-5（雷电 8/20 μs）：4 A。应用：手机及配件。个人数字助理
库存 询盘确认DFN-1006-2LESD8D7.0CAT5G
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库存 询盘确认DFN-1006-2LTS0501VBX
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库存 询盘确认PROCUREMENT FAQ
采购常见问题
BDFN2C071V45 是否有现货？
BDFN2C071V45 当前需要询盘确认库存，提交需求后可核对可供数量、批号、包装和交期。
如何核对 BDFN2C071V45 的官方资料？
页面提供 BDFN2C071V45 的制造商资料入口，采购前建议核对封装、关键电气参数、温度等级和订购料号。
找不到完全一致的 BDFN2C071V45 时怎么办？
可以按 BORN(伯恩半导体)、DFN-1006-2L 和同类目继续筛选相似型号，也可以在 BOM 备注中写明替代要求。