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BC857BLP4-7 DIODES(美台) 现货与清单询价
BC857BLP4-7，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO >-45V。 高集电极电流：IC =-100mA。 功率耗散：PD = 1W。 封装尺寸：0.6mm²，比SOT23小13倍。 封装高度：0.4mm，可减少板外轮廓。 互补NPN类型：BC847BLP4。 完全无铅，完
- MPN
- BC857BLP4-7
- 品牌/制造商
- DIODES(美台)
- 封装
- DFN-3
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/BC857BLP4-7