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BC847BLP-7B DIODES(美台) 现货与清单询价

BC847BLP-7B,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),DFN-3封装,询盘确认库存,特性:BVCEO > 45V。 Ic = 100mA高集电极电流。 PD = 1000mW功率耗散。 0.60mm²封装尺寸,比SOT23小13倍。 0.5mm封装高度,减少板外轮廓。 互补PNP类型:BC857BLP。 完全无铅且完全

MPN
BC847BLP-7B
品牌/制造商
DIODES(美台)
封装
DFN-3
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/BC847BLP-7B
公开内容边界

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