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BC847BFA-7B DIODES(美台) 现货与清单询价
BC847BFA-7B,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),DFN-3封装,询盘确认库存,特性:BVCEO > 45V。 集电极电流高:IC = 100mA。 功率耗散:PD = 435mW。 封装占地面积0.48mm²,比SOT23小16倍。 封装高度0.4mm,可减少板外轮廓。 互补PNP型BC857BFA。 完全无铅,
- MPN
- BC847BFA-7B
- 品牌/制造商
- DIODES(美台)
- 封装
- DFN-3
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/BC847BFA-7B
