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BC847BFA-7B DIODES(美台) 现货与清单询价

BC847BFA-7B,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),DFN-3封装,询盘确认库存,特性:BVCEO > 45V。 集电极电流高:IC = 100mA。 功率耗散:PD = 435mW。 封装占地面积0.48mm²,比SOT23小16倍。 封装高度0.4mm,可减少板外轮廓。 互补PNP型BC857BFA。 完全无铅,

MPN
BC847BFA-7B
品牌/制造商
DIODES(美台)
封装
DFN-3
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/BC847BFA-7B
公开内容边界

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