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BC846S,115-JSM JSMSEMI(杰盛微) 现货与清单询价

BC846S,115-JSM,JSMSEMI(杰盛微),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-363封装,询盘确认库存,晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):65V 耗散功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE):250@10uA,5V

MPN
BC846S,115-JSM
品牌/制造商
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-363
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/BC846S%2C115-JSM
公开内容边界

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