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BAS40-06-E3-08-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
BAS40-06-E3-08-HXY,HXY MOSFET(华轩阳电子),二极管 / 肖特基二极管,SOT-23封装,询盘确认库存,该肖特基二极管采用1对共阳极配置,正向电流(IF)为0.2A,反向重复峰值电压(VR)达40V。其正向压降(VF)为1V,反向漏电流(IR)低至0.2μA,体现出良好的导通与阻断性能。器件可承受的最大正向浪涌电流(IFSM)为0
- MPN
- BAS40-06-E3-08-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- SOT-23
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/BAS40-06-E3-08-HXY
