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BAS40-04-G3-08-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

BAS40-04-G3-08-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 肖特基二极管，SOT-23封装，询盘确认库存，该肖特基二极管采用串联式结构，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）为1V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为0.2μA，表现出优异的阻断性能。器件可承受的最大正向浪涌电流