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APT50GT120B2RDQ2G-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

APT50GT120B2RDQ2G-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247P封装，询盘确认库存，本IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可满足较高功率需求的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在导通状态下能有效控制能量损耗

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MPN
APT50GT120B2RDQ2G-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247P
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/APT50GT120B2RDQ2G-HXY
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