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APT35GP120BG-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

APT35GP120BG-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，该IGBT模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压等级的电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在高耐压条件下仍可保持较好的导通性能。内置二极

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MPN
APT35GP120BG-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/APT35GP120BG-HXY
公开内容边界

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