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AOTF18N65L HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

AOTF18N65L，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，可有效降低开关与导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极控制。得益于碳化硅材料

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MPN
AOTF18N65L
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/AOTF18N65L
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