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AOTF11S65L HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

AOTF11S65L，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，有助于减少导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定的栅极驱动控制

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MPN
AOTF11S65L
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/AOTF11S65L
公开内容边界

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