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AOT25S65L HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

AOT25S65L，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至165mΩ，适用于高效率、高频率的功率转换场景。栅源电压范围为-10V至+25V，确保器件在复杂电气环境下具备良好

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MPN
AOT25S65L
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220C
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/AOT25S65L
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