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AIMZHN120R080M1TXKSA1 Infineon(英飞凌) 现货与清单询价

AIMZHN120R080M1TXKSA1，Infineon(英飞凌)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4封装，询盘确认库存，特性：VDSS = 1200 V，温度范围为 -55℃至175℃。 IDDC = 31 A，温度为25℃。 RDS(on) = 80 mΩ，VGS = 20 V，温度为25℃。应用：车载充电器

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MPN: AIMZHN120R080M1TXKSA1
品牌/制造商: Infineon(英飞凌)
封装: TO-247-4
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/AIMZHN120R080M1TXKSA1

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