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AIMZH120R060M1TXKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

AIMZH120R060M1TXKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有出色的电性能和可靠性。其连续漏极电流ID可达69A，漏源击穿电压VDSS高达1200V，适用于高电压应用场景。导通电阻RDON为

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MPN
AIMZH120R060M1TXKSA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/AIMZH120R060M1TXKSA1-HXY
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