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AIMW120R035M1HXKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

AIMW120R035M1HXKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的电气性能和稳定性。在25℃环境下，连续漏极电流为63A，导通电阻低至32毫欧，有助于降低导通损耗，提升整体系统效率。