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AIMW120R035M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 现货与清单询价

AIMW120R035M1HXKSA1,Infineon(英飞凌),碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET),TO-247-3-41封装,询盘确认库存,特性:革命性半导体材料:碳化硅。极低的开关损耗。无阈值导通特性。IGBT兼容驱动电压(导通电压18V)。0V关断栅极电压。基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。应用:车载充电器/PF

MPN
AIMW120R035M1HXKSA1
品牌/制造商
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247-3-41
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/AIMW120R035M1HXKSA1
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