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AIMBG120R160M1XTMA1 Infineon(英飞凌) 现货与清单询价
AIMBG120R160M1XTMA1，Infineon(英飞凌)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7封装，询盘确认库存，特性：VDSS = 1200 V，在 TVj = -55…175℃。IDDC = 17 A，在 TC = 25℃。RDS(on) = 160 mΩ，在 VGS = 20 V，TVj = 25℃。应用
- MPN
- AIMBG120R160M1XTMA1
- 品牌/制造商
- Infineon(英飞凌)
- 封装
- TO-263-7
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/AIMBG120R160M1XTMA1