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AIMBG120R010M1XTMA1 Infineon(英飞凌) 现货与清单询价

AIMBG120R010M1XTMA1，Infineon(英飞凌)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7-12封装，询盘确认库存，特性：VDSS = 1200 V，TVj = -55…175℃。 IDDC = 205 A，TC = 25℃。 RDS(on) = 8.7 mΩ，VGS = 20 V，TVj = 25℃。应用

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MPN: AIMBG120R010M1XTMA1
品牌/制造商: Infineon(英飞凌)
封装: TO-263-7-12
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/AIMBG120R010M1XTMA1

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