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AGM612I AGMSEMI(芯控源) 现货与清单询价

AGM612I，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-251封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@10V,10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：17nC@10V 输入电容(Ciss@V

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MPN
AGM612I
品牌/制造商
AGMSEMI(芯控源)
封装
TO-251
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/AGM612I
公开内容边界

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