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AGM30N10D AGMSEMI(芯控源) 现货与清单询价
AGM30N10D,AGMSEMI(芯控源),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-252封装,询盘确认库存,类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):28A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@10V,10A 栅极电荷(Qg@Vgs):8.0nC@10V 输入电容(Ci
- MPN
- AGM30N10D
- 品牌/制造商
- AGMSEMI(芯控源)
- 封装
- TO-252
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/AGM30N10D
