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AGM306MDP AGMSEMI(芯控源) 现货与清单询价
AGM306MDP,AGMSEMI(芯控源),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),DFN-8封装,询盘确认库存,类型:双N沟道 漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):46A功率(Pd):20W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id:6.1mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@10V 输入电容(Ciss@Vd
- MPN
- AGM306MDP
- 品牌/制造商
- AGMSEMI(芯控源)
- 封装
- DFN-8
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/AGM306MDP
