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AGM306MDP AGMSEMI(芯控源) 现货与清单询价

AGM306MDP,AGMSEMI(芯控源),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),DFN-8封装,询盘确认库存,类型:双N沟道 漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):46A功率(Pd):20W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id:6.1mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@10V 输入电容(Ciss@Vd

MPN
AGM306MDP
品牌/制造商
AGMSEMI(芯控源)
封装
DFN-8
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/AGM306MDP
公开内容边界

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