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AGM3012H AGMSEMI(芯控源) 现货与清单询价
AGM3012H,AGMSEMI(芯控源),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-263封装,询盘确认库存,类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):193A 功率(Pd):95W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs):125nC@10V 输入电容(Ci
- MPN
- AGM3012H
- 品牌/制造商
- AGMSEMI(芯控源)
- 封装
- TO-263
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/AGM3012H
