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AGM13T30D AGMSEMI(芯控源) 现货与清单询价
AGM13T30D,AGMSEMI(芯控源),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252封装,询盘确认库存,类型:N沟道 漏源电压(Vdss):135V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):120W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA
- MPN
- AGM13T30D
- 品牌/制造商
- AGMSEMI(芯控源)
- 封装
- TO-252
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/AGM13T30D
