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AFGHL75T65SQ-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

AFGHL75T65SQ-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，该IGBT模块具备75A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适合多种中高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通状态下的能量损耗。内部二极管支持75A正向电

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MPN
AFGHL75T65SQ-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/AFGHL75T65SQ-HXY
公开内容边界

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