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AAR027V065H2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

AAR027V065H2-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247H-4L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为99A，漏源电压额定值为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与高开关速度特性，适用于

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MPN
AAR027V065H2-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247H-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/AAR027V065H2-HXY
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