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4N65M XCH(旭昌辉) 现货与BOM询价

4N65M,XCH(旭昌辉),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252封装,询盘确认库存,XCH4N65M硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET)采用自对准平面技术制造,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO -

MPN
4N65M
品牌/制造商
XCH(旭昌辉)
封装
TO-252
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/4N65M
公开引用边界

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