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35N10 HL(富海微) 现货与清单询价

35N10，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，工艺:沟槽，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):0.8～1.6，导通电阻RDS(ON) (mΩ):25/26，连续漏极电流ID(A):35A