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2SK2615(TE12L.F) TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
2SK2615(TE12L.F)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，SOT-89封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.23Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 2.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 60V)。 增强模式：Vth =
- MPN
- 2SK2615(TE12L.F)
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- SOT-89
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/2SK2615(TE12L.F)