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2SK2009(TE85L,F) TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
2SK2009(TE85L,F)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：高输入阻抗。 低栅极阈值电压：Vth = 0.5至1.5V。 出色的开关时间：ton = 0.06μs（典型值），toff = 0.12μs（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.2Ω（典型
- MPN
- 2SK2009(TE85L,F)
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- TO-236-3
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/2SK2009(TE85L%2CF)