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2SK1835-E RENESAS(瑞萨)/IDT 现货与清单询价
2SK1835-E，RENESAS(瑞萨)/IDT，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-3P封装，询盘确认库存，特性：高击穿电压 (VDSS = 1500 V)。 高速开关。 低驱动电流。 无二次击穿。 适用于开关稳压器。应用：高速功率开关
- MPN
- 2SK1835-E
- 品牌/制造商
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 封装
- TO-3P
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/2SK1835-E