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2SD2114KT146V ROHM(罗姆) 现货与清单询价

2SD2114KT146V，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：高直流电流增益：hFE = 1200（典型值）。 高发射极-基极电压：VEBO = 12V（最小值）。 低VCE（饱和）：VCE（饱和） = 0.18V（典型值）(Ic / Ib = 500mA / 20mA)。 结构：外延

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MPN
2SD2114KT146V
品牌/制造商
ROHM(罗姆)
封装
TO-236-3
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/2SD2114KT146V
公开内容边界

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