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2SD1664DAR GME(银河微电) 现货与清单询价
2SD1664DAR，GME(银河微电)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，SOT-89封装，询盘确认库存，特性：低饱和电压：VCE(m) = 0.15V（典型值）（Ic / Ib = 500mA / 50mA），PC = 0.5W。 与2SB1132互补。应用：NPN硅晶体管
- MPN
- 2SD1664DAR
- 品牌/制造商
- GME(银河微电)
- 封装
- SOT-89
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/2SD1664DAR