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2SB1132BAR MSKSEMI(美森科) 现货与清单询价
2SB1132BAR,MSKSEMI(美森科),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-89封装,询盘确认库存,三极管 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):32V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):500mW 180-390 PNP,Vceo=-32V,Ic=-1A,hfe=180~390,丝印BAR
- MPN
- 2SB1132BAR
- 品牌/制造商
- MSKSEMI(美森科)
- 封装
- SOT-89
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/2SB1132BAR
