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2DB1182Q-13 DIODES(美台) 现货与清单询价

2DB1182Q-13，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：BVCEO > -32V。 Ic = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。外延平面芯片结构。低集电极-发射极饱和电压。非常适合中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和

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MPN: 2DB1182Q-13
品牌/制造商: DIODES(美台)
封装: TO-252
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/2DB1182Q-13

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