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1N5818-T DIODES(美台) 现货与清单询价
1N5818-T,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 低功耗、高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层,符合 RoHS 标准
- MPN
- 1N5818-T
- 品牌/制造商
- DIODES(美台)
- 封装
- DO-41
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/1N5818-T
