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1N5817-T DIODES(美台) 现货与清单询价

1N5817-T,DIODES(美台),二极管 > 肖特基二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 低功耗、高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层,符合 RoHS 标准

MPN
1N5817-T
品牌/制造商
DIODES(美台)
封装
DO-41
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/1N5817-T
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