PUBLIC PAGE SUMMARY
DN0150ALP4-7B DIODES(美台) 现货与清单询价
DN0150ALP4-7B，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，DFN-1006-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO > 50V（IC = 100mA）。 高集电极电流。 PD = 1000mW 功率耗散。 0.60mm²封装占位面积，比SOT23小13倍。 0.4mm高度封装，减少板外轮廓。 互补PNP类型。 完全无铅
- MPN
- DN0150ALP4-7B
- 品牌/制造商
- DIODES(美台)
- 封装
- DFN-1006-3
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/DN0150ALP4-7B