先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
X1-DFN1006-2 封装现货型号与BOM询价
围绕 X1-DFN1006-2 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 30 个公开可查询型号。
30匹配型号
7常见品牌
6相关分类
按分类继续
采购提示
封装核对X1-DFN1006-2 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。
同封装核对
X1-DFN1006-2 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、PDF 证据和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入 BOM 备注，减少业务和工程反复确认。
封装核对
X1-DFN1006-2 封装核对指南
把封装页从“型号列表”变成采购员可执行的筛选台：先统一封装写法，再按品牌、类目、库存和资料把候选缩小到可核价范围。
0
现货样本 / 30 个可查询型号
可合并检索写法
先识别封装写法
X1-DFN1006-2 可能会和 X1DFN10062 同时出现在资料或BOM里，先统一封装关键词再筛型号。
再核对品牌与类目
当前样本覆盖 DIODES(美台)、TOSHIBA(东芝)、AOS、Leiditech(雷卯电子)，常见分类包括 三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)、二极管 > 肖特基二极管、二极管 > 超势垒整流器(SBR)，避免只按封装忽略应用参数。
保留可替代候选
同封装型号可先暂存或对比，提交 BOM 时写明可接受品牌、参数范围和交期要求。
下单前复查资料
封装页是入口，最终仍需核对制造商 PDF、引脚数、尺寸图、批号、包装和检测资料。
采购入口：X1-DFN1006-2 封装 候选型号：BAS70LP-7B / BAS16LP-7B / BAS16LPQ-7B / BAS16LPQ-7 / SBR0240LPW-7B / BAS40LP-7B 品牌/制造商范围：DIODES(美台) / TOSHIBA(东芝) / AOS / Leiditech(雷卯电子) / CREATEK(达晶微) 分类范围：三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD) / 二极管 > 肖特基二极管 / 二极管 > 超势垒整流器(SBR) / TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD) / 二极管 > 开关二极管 封装线索：X1-DFN1006-2 需求数量：请按型号填写目标数量、阶梯数量或年用量 不可放宽参数：完整MPN、品牌/制造商、封装、引脚、电压、电流、温度等级、认证、替代边界 可接受替代范围：请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代 交付要求：批号、包装、交期、检测资料、含税报价、付款和交付条件 公开库存和价格仅用于采购初筛，最终以业务人员确认报价为准
采购路径
X1-DFN1006-2 封装采购路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或 BOM，避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
BAS70LP-7B
DIODES(美台)
BAS70LP-7B，DIODES(美台)，二极管 > 肖特基二极管，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，特性：低开启电压。 快速开关。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。 超小表面贴装封装。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，具有高可靠性二极管 > 肖特基二极管
X1-DFN1006-2
询盘确认
询盘报价
查看详情 >BAS16LP-7B
DIODES(美台)
BAS16LP-7B，DIODES(美台)，二极管 > 通用二极管，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，特性：快速开关速度。 超小型无铅表面贴装封装。 用于通用开关应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件二极管 > 通用二极管
X1-DFN1006-2
询盘确认
询盘报价
查看详情 >BAS16LPQ-7B
DIODES(美台)
BAS16LPQ-7B，DIODES(美台)，二极管 > 开关二极管，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，BAS16LPQ-7B二极管 > 开关二极管
X1-DFN1006-2
询盘确认
询盘报价
查看详情 >BAS16LPQ-7
DIODES(美台)
BAS16LPQ-7，DIODES(美台)，二极管 > 开关二极管，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，BAS16LPQ-7二极管 > 开关二极管
X1-DFN1006-2
询盘确认
询盘报价
查看详情 >SBR0240LPW-7B
DIODES(美台)
SBR0240LPW-7B，DIODES(美台)，二极管 > 肖特基二极管，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，-二极管 > 肖特基二极管
X1-DFN1006-2
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询盘报价
查看详情 >BAS40LP-7B
DIODES(美台)
BAS40LP-7B，DIODES(美台)，二极管 > 肖特基二极管，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，电压:40V 电流:200mA二极管 > 肖特基二极管
X1-DFN1006-2
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查看详情 >DF2B6M4CT,L3F
TOSHIBA(东芝)
DF2B6M4CT,L3F，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，DF2B6M4CT,L3F三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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查看详情 >SBR02U100LPQ-7B
DIODES(美台)
SBR02U100LPQ-7B，DIODES(美台)，二极管 > 超势垒整流器(SBR)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，SBR02U100LPQ-7B二极管 > 超势垒整流器(SBR)
X1-DFN1006-2
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查看详情 >
ULC0511CDN
Leiditech(雷卯电子)
ULC0511CDN，Leiditech(雷卯电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试。 -空气放电：±30kV。 -接触放电：±30kV。应用：USB 2.0TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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查看详情 >CLAMP0551P1
WPMtek(维攀)
CLAMP0551P1，WPMtek(维攀)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，CLAMP0551P1采用威攀穿通工艺的TVS技术设计，旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，为易受ESD影响的设计提供了同类最佳的保护。由于其尺寸小巧，适用三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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查看详情 >BAT54LP-7B
DIODES(美台)
BAT54LP-7B，DIODES(美台)，二极管 > 肖特基二极管，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，特性：低正向电压降。 快速开关。 超小无铅表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中所述），具有高可靠性二极管 > 肖特基二极管
X1-DFN1006-2
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询盘报价
查看详情 >RCLAMP3321P
UMW(友台半导体)
RCLAMP3321P，UMW(友台半导体)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，为USB3.0、HDMI1.3/1.4和其他高速端口提供ESD保护。可用于满足IEC 61000-4-2的ESD抗扰度要求。旨在最小化ESD峰值钳位和TLP钳位。动态电阻最小化（典型值0.47Ω），以对敏感TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
询盘确认
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查看详情 >BAT54LP-7
DIODES(美台)
BAT54LP-7，DIODES(美台)，二极管 > 肖特基二极管，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，特性：低正向电压降。 快速开关。 超小无铅表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中所述），具有高可靠性二极管 > 肖特基二极管
X1-DFN1006-2
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查看详情 >BAT54LPQ-7
DIODES(美台)
BAT54LPQ-7，DIODES(美台)，二极管 > 肖特基二极管，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，特性：低正向压降。 快速开关。 超小型无铅表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。应用：SMPS。 续流二极管二极管 > 肖特基二极管
X1-DFN1006-2
询盘确认
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查看详情 >SDM10U45LP-7
DIODES(美台)
SDM10U45LP-7，DIODES(美台)，二极管 > 肖特基二极管，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，特性：低正向压降。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 低电容。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高二极管 > 肖特基二极管
X1-DFN1006-2
询盘确认
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查看详情 >SBR05U20LP-7
DIODES(美台)
SBR05U20LP-7，DIODES(美台)，二极管 > 超势垒整流器(SBR)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，特性：超低正向压降。 卓越的反向雪崩能力。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 工作结温可达 +150℃。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准二极管 > 超势垒整流器(SBR)
X1-DFN1006-2
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查看详情 >DF2B7ACT,L3F
TOSHIBA(东芝)
DF2B7ACT,L3F，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，DF2B7ACT是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2B7ACT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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询盘报价
查看详情 >SBRT05U20LPSQ-7B
DIODES(美台)
SBRT05U20LPSQ-7B，DIODES(美台)，二极管 > 超势垒整流器(SBR)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，封装在紧凑的X2-DFN1006-2中，提供超低正向压降（VF），在高温下具有出色的低反向泄漏稳定性。适用于整流、续流或极性保护。二极管 > 超势垒整流器(SBR)
X1-DFN1006-2
询盘确认
询盘报价
查看详情 >SBR0240LPWQ-7B
DIODES(美台)
SBR0240LPWQ-7B，DIODES(美台)，二极管 > 超势垒整流器(SBR)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，采用 X1-DFN1006-2 (SwP) (Type C) 封装，可提供非常低的正向压降，并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性。它非常适合用作以下设备中的整流器、续流二极管或阻塞二极管：DC-DC 转换器、AC-DC 适配器。二极管 > 超势垒整流器(SBR)
X1-DFN1006-2
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查看详情 >SBR02U100LPQ-7
DIODES(美台)
SBR02U100LPQ-7，DIODES(美台)，二极管 > 超势垒整流器(SBR)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，特性：超低正向压降。 卓越的反向雪崩能力。 专利超级势垒整流器（SBR）技术。 软、快速开关能力。 工作结温达 +150°C。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：低电压整流。 阻塞二极管二极管 > 超势垒整流器(SBR)
X1-DFN1006-2
询盘确认
询盘报价
查看详情 >SDM20U30LPQ-7
DIODES(美台)
SDM20U30LPQ-7，DIODES(美台)，二极管 > 肖特基二极管，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，特性：低正向压降。 用于瞬态保护的保护环结构。 低电容。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。应用：SMPS。 续流二极管二极管 > 肖特基二极管
X1-DFN1006-2
询盘确认
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查看详情 >AOZ8211DI-12
AOS
AOZ8211DI-12，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，AOZ8211DI-12三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
询盘确认
询盘报价
查看详情 >AOZ8831DT-05
AOS
AOZ8831DT-05，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，AOZ8831DT-05三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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查看详情 >CESD1006LC5VU
CREATEK(达晶微)
CESD1006LC5VU，CREATEK(达晶微)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，单向ESD三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
询盘确认
询盘报价
查看详情 >DF2B12M1CT(TPL3)
TOSHIBA(东芝)
DF2B12M1CT(TPL3)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，DF2B12M1CT(TPL3)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
询盘确认
询盘报价
查看详情 >DF2B6.8ACT,L3F
TOSHIBA(东芝)
DF2B6.8ACT,L3F，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，DF2B6.8ACT,L3F三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
询盘确认
询盘报价
查看详情 >DF2S24UCT,L3F
TOSHIBA(东芝)
DF2S24UCT,L3F，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，DF2S24UCT,L3F三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
询盘确认
询盘报价
查看详情 >DF2S8.2ASL,L3F
TOSHIBA(东芝)
DF2S8.2ASL,L3F，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，DF2S8.2ASL,L3F三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
询盘确认
询盘报价
查看详情 >DF2S8.2CT,L3F
TOSHIBA(东芝)
DF2S8.2CT,L3F，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，DF2S8.2CT,L3F三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
询盘确认
询盘报价
查看详情 >SDA3611CDN
Leiditech(雷卯电子)
SDA3611CDN，Leiditech(雷卯电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X1-DFN1006-2封装，询盘确认库存，特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：36V。 低钳位电压。 符合以下标准：IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±25kV 接触放电：±15kV。IEC 61000-4-4（ETVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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询盘报价
查看详情 >采购问答
X1-DFN1006-2 封装采购常见问题
X1-DFN1006-2 封装在华芯购有多少可查询型号？
当前 X1-DFN1006-2 封装页收录 30 个公开可查询型号，本页优先展示 近期可询样本。
筛选 X1-DFN1006-2 封装型号时还要核对什么？
除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
X1-DFN1006-2 封装找不到完全一致型号怎么办？
可以从 DIODES(美台)、TOSHIBA(东芝)、Leiditech(雷卯电子)、WPMtek(维攀)、UMW(友台半导体) 或 二极管 > 肖特基二极管、二极管 > 通用二极管、二极管 > 开关二极管、三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD) 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。