封装现货

TOLL-8L 封装现货型号与清单询价

围绕 TOLL-8L 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 118 个公开可查询型号。

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118匹配型号 8常见品牌 2相关分类
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Siliup(矽普)16AGMSEMI(芯控源)12XNRUSEMI(新锐)12GOFORD(谷峰)6Tokmas(托克马斯)5HL(富海微)4HT(金誉)4ANHI(安海)3
按分类继续
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)79碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)1
常用动作
批量转清单实时筛选候选对比
封装核对TOLL-8L 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。

同封装核对

TOLL-8L 同封装兼容说明

同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。

同封装对比 候选转清单 查看现货
完整MPN

先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。

引脚/尺寸

核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。

关键参数

电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。

制造商PDF

以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。

数量交期

同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。

不可放宽

把不能替代的参数写入清单备注，减少业务和工程反复确认。

样本候选
S400N06HTLHL(富海微) · TOLL-8L转清单SP010N01BGHTOSiliup(矽普) · TOLL-8L转清单AGM015N10LLAGMSEMI(芯控源) · TOLL-8L转清单

购物路径

TOLL-8L 封装购物路径

把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。

品牌Siliup(矽普) / AGMSEMI(芯控源) / XNRUSEMI(新锐) / GOFORD(谷峰) 封装TOLL-8L
01

进入实时筛选

按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。

02

保留候选型号

把优先样本带入对比或清单，避免从搜索入口反复重新查找。

03

统一核价

业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。

04

资料复核

采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。

进入实时筛选 对比前 4 个 候选转清单 提交TOLL-8L 封装需求
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

S400N06HTL

HL(富海微)

S400N06HTL，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):60 阈值电压VGS:±20 Vth(V):2～4导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.25 连续漏极电流ID(A):400A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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SP010N01BGHTO

Siliup(矽普)

SP010N01BGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM015N10LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM015N10LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM015N10LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP015N03BGHTO

Siliup(矽普)

SP015N03BGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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MOT1127T

MOT(仁懋)

MOT1127T，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：使用MOT先进的双沟道技术。低导通电阻（RDS(on) mΩ）。低栅极电荷。低反向传输电容。100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。应用：电池管理。电机控制和驱动
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XRS500N06HTL

XNRUSEMI(新锐)

XRS500N06HTL，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，是高性能互补N沟道MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量，并通过了全功能可靠性认证。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM15T03LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM15T03LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM15T03LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XRS180N15TL

XNRUSEMI(新锐)

XRS180N15TL，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
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XRS400N06HTL

XNRUSEMI(新锐)

XRS400N06HTL，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：采用分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密单元设计，实现低RDS(ON)。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
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AGM601LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM601LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM601LL结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。此设备非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP85N01GHTO

Siliup(矽普)

SP85N01GHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：85V，电流：390A,Rdson：1.2mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM15T05LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM15T05LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM15T05LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP60P03GHTO

Siliup(矽普)

SP60P03GHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V，电流：-140A,Rdson：3.1mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP85N02AGHTO

Siliup(矽普)

SP85N02AGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：85V，电流：310A,Rdson：1.6mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XRS150N20TL

XNRUSEMI(新锐)

XRS150N20TL，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，XRS150N20TL
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XRS300N04TL

XNRUSEMI(新锐)

XRS300N04TL，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，XRS300N04TL
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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FH4504TL

鑫飞宏

FH4504TL，鑫飞宏，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，Type/N，VDS\n(MIN)V/40，ID\n25℃(A)/250，Vgs (±V)/20，ESD\nDiode//，4.5V（Typ)/1.9，2.5V（Typ)//
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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WSM340N10G

WINSOK(微硕)

WSM340N10G，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，WSM340N10G是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSM340N10G符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（E
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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YJT300G10H

YANGJIE(扬杰)

YJT300G10H，YANGJIE(扬杰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:100V 电流:300A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XRS320N08TL

XNRUSEMI(新锐)

XRS320N08TL，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：Split Gate Trench MOSFET technology。 优秀的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP30N01AATO

Siliup(矽普)

SP30N01AATO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，中低压MOSFET产品，N沟道，耐压：30V,电流：290A,RDSON:0.6mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP40N01LGTO

Siliup(矽普)

SP40N01LGTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：40V，电流：235A，RDSON：1.2mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XRS350N10TL

XNRUSEMI(新锐)

XRS350N10TL，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：分栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻（RDS(ON)）的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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HSY1502

HUASHUO(华朔)

HSY1502，HUASHUO(华朔)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，100% EAS 保证。提供绿色设备。超低导通电阻 RDS(ON)。先进的高单元密度沟槽技术
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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YJT300G10AQ

YANGJIE(扬杰)

YJT300G10AQ，YANGJIE(扬杰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，优秀的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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PGT10N018H

HT(金誉)

PGT10N018H，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：电池管理。 不间断电源 (UPS)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM4005LLM1

AGMSEMI(芯控源)

AGM4005LLM1，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM4005LLM1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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PGT08N033H

HT(金誉)

PGT08N033H，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：低导通电阻和低传导损耗。 超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。 电机控制和驱动
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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PGT12N028H

HT(金誉)

PGT12N028H，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：最大结温范围：150℃。 100%雪崩测试。应用：电池管理系统。 电机控制和驱动
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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PGT10N015H

HT(金誉)

PGT10N015H，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：交流/直流快速充电器的同步整流。 电池管理
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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BLP038N15-T

BL(上海贝岭)

BLP038N15-T，BL(上海贝岭)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，MOSFET，150V,2.9mΩ,254A，TOLL8
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SP40N01AGTO

Siliup(矽普)

SP40N01AGTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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320N04TL

HL(富海微)

320N04TL，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，工艺:SGT，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):40，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1.3～2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):0.75/1.1，连续漏极电流ID(A):320A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP012N03BGHTO

Siliup(矽普)

SP012N03BGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP40N01GTO

Siliup(矽普)

SP40N01GTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MPT012N08-T

minos(迈诺斯)

MPT012N08-T，minos(迈诺斯)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：360A 功率(Pd)：462.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1mΩ@10V,50A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TK065U65Z,RQ

TOSHIBA(东芝)

TK065U65Z,RQ，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.051 Ω（典型值）。 具有较低电容的高速开关特性。 增强模式：Vth = 3 至 4V（VDS = 10V，ID = 1.69mA）。应用：开关电源
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XRS400N08TL

XNRUSEMI(新锐)

XRS400N08TL，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XRS200N15TL

XNRUSEMI(新锐)

XRS200N15TL，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：采用分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM01T08LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM01T08LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM01T08LL 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MOT8576T

MOT(仁懋)

MOT8576T，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：Surface-mounted package。 Advnced terch cell design。 Super trench。应用：Highpower system inverter。 Light electric wehic
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGMH022N10LL

AGMSEMI(芯控源)

AGMH022N10LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGMH022N10LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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IPT015N10N5(ES)

ElecSuper(静芯)

IPT015N10N5(ES)，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，N沟道，100V，430A，1.07mΩ@10V,30A，3V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP010N03AGHTO

Siliup(矽普)

SP010N03AGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XRS300N10TL

XNRUSEMI(新锐)

XRS300N10TL，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：Split Gate Trench MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP16MF30TO

Siliup(矽普)

SP16MF30TO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，超结MOSFET产品，N沟道，耐压：300V，电流：130A，RDSON：16mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP30N01ATO

Siliup(矽普)

SP30N01ATO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，中低压MOSFET产品，N沟道，耐压：30V,电流：210A,RDSON:0.8mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CMSL008N06

Cmos(广东场效应半导体)

CMSL008N06，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，CMSL008N06采用先进的超级沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NVBLS1D7N10MCTXG(TOKMAS)

Tokmas(托克马斯)

NVBLS1D7N10MCTXG(TOKMAS)，Tokmas(托克马斯)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：表面贴装封装。 MSL1。 先进的沟槽单元设计。应用：BMS。 无人机
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SP50MF65TO

Siliup(矽普)

SP50MF65TO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，超结MOSFET产品，N沟道，耐压：650V，电流：50A，RDSON：40mR
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ASR65R046EFD

ANHI(安海)

ASR65R046EFD，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，VDS=700V/Id=59A,Rds(on)=39mΩ/Qg=111nC /Ciss=5309pF/Trr=168.9nS
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SP015N06GHTO

Siliup(矽普)

SP015N06GHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品
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XRS200N06HTL

XNRUSEMI(新锐)

XRS200N06HTL，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：Split Gate Trench MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
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S400N08TL

HL(富海微)

S400N08TL，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
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CMSL300N04S4-1R1

Cmos(广东场效应半导体)

CMSL300N04S4-1R1，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，CMSL300N04S4 - 1R1采用先进的超级沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
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AUR020N10

ANHI(安海)

AUR020N10，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，VDS=100V/Id=305A,Rds(on)=1.6mΩ/Qg=213nC /Ciss=14994pF/Trr=84.44nS
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XRS250N12TL

XNRUSEMI(新锐)

XRS250N12TL，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻（RDS(ON)）的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
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CMSL107N20

Cmos(广东场效应半导体)

CMSL107N20，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，CMSL107N20采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高效率快速开关应用。
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GT011N03TLE

GOFORD(谷峰)

GT011N03TLE，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:30V 电流:250A
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PSMTL10R1

Prisemi(芯导)

PSMTL10R1，Prisemi(芯导)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，NCEP023N10LL
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WSM320N04G

WINSOK(微硕)

WSM320N04G，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，WSM320N04G是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSM320N04G符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量
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IAUT150N10S5N035(TOKMAS)

Tokmas(托克马斯)

IAUT150N10S5N035(TOKMAS)，Tokmas(托克马斯)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：表面贴装封装，MSL1。 先进的沟槽单元设计。应用：BMS。 无人机
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AGM20T09LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM20T09LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM20T09LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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MSE003L

MP(美禄科技)

MSE003L，MP(美禄科技)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：263A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.3mΩ
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S300N04TL

HL(富海微)

S300N04TL，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：Split Gate Trench MOSFET technology。 Excellent package for heat dissipation。 High density cell design for low RDS(
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AGM12T02LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM12T02LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM12T02LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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CI60N120SMD8

Tokmas(托克马斯)

CI60N120SMD8，Tokmas(托克马斯)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，1200V40毫欧
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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SP60N01BGHTO

Siliup(矽普)

SP60N01BGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品
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ASR65R120EFD

ANHI(安海)

ASR65R120EFD，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，VDS=700V/Id=30A,Rds(on)=105mΩ/Qg=55.4nC /Ciss=2657pF/Trr=136.7nS
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GT013N04TLH

GOFORD(谷峰)

GT013N04TLH，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：40V@@连续漏极电流(Id)：285A@@阈值电压(Vgs(th))：4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：1mΩ@10V @@封装：TOLL-8L
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IAUT300N10S5N015(TOKMAS)

Tokmas(托克马斯)

IAUT300N10S5N015(TOKMAS)，Tokmas(托克马斯)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：表面贴装封装MSL1。 先进的沟槽单元设计。应用：BMS。 无人机
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GT070N15TL

GOFORD(谷峰)

GT070N15TL，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：150V@@连续漏极电流(Id)：200A@@阈值电压(Vgs(th))：4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：4.2mΩ@10V @@封装：TOLL-8L
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WTM40N65FTL

WPMtek(维攀)

WTM40N65FTL，WPMtek(维攀)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 40A 功率(Pd): 230W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 99mΩ@10V,15.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM15T06LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM15T06LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM15T06LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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NVBLS1D7N08H(TOKMAS)

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NVBLS1D7N08H(TOKMAS)，Tokmas(托克马斯)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，特性：表面贴装封装。 超级沟槽。 先进的沟槽单元设计。 MSL1。应用：BMS。 无人机
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM016T08LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM016T08LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM016T08LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GT015N06TL

GOFORD(谷峰)

GT015N06TL，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，使用先进沟槽技术提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GT010N10TL

GOFORD(谷峰)

GT010N10TL，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：400A 阈值电压(Vgs(th))：4.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：1.15mΩ@10V 封装：TOLL-8L
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM4008LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM4008LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：500A 功率(Pd)：428W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.63mΩ@10V,50A 栅极电荷(Qg@Vgs)：221nC@10V 输入电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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G080P06TL

GOFORD(谷峰)

G080P06TL，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-60V@@连续漏极电流(Id)：-205A@@阈值电压(Vgs(th))：-4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：5.8mΩ@10V @@封装：TOLL-8L
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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封装选购

TOLL-8L 封装选购常见问题

TOLL-8L 封装在华芯购有多少可查询型号？

当前 TOLL-8L 封装页收录 118 个公开可查询型号，本页优先展示 近期可询样本。

筛选 TOLL-8L 封装型号时还要核对什么？

除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。

TOLL-8L 封装找不到完全一致型号怎么办？

可以从 HL(富海微)、Siliup(矽普)、AGMSEMI(芯控源)、MOT(仁懋)、XNRUSEMI(新锐) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)、碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET) 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。