先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
TO-252-4L 封装现货型号与清单询价
围绕 TO-252-4L 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 68 个公开可查询型号。
68匹配型号
8常见品牌
3相关分类
常用动作
封装核对TO-252-4L 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。
同封装核对
TO-252-4L 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注，减少业务和工程反复确认。
购物路径
TO-252-4L 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单，避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
AOD603A
AOS
AOD603A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:3A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >FH4604D
鑫飞宏
FH4604D，鑫飞宏，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SP6026CTM
Siliup(矽普)
SP6026CTM，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，中低压N+PMOSFET产品，耐压：60V，电流：N 20A/P 18A，RDSON：N 25mR/P 57mR三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SP4024CTM
Siliup(矽普)
SP4024CTM，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，中低压N+PMOSFET产品，耐压：40V，电流：N 23A/P 13A，RDSON：N 17mR/P 38mR三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SP3023CTM
Siliup(矽普)
SP3023CTM，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N+P MOSFET产品，耐压：30V，电流：N 25A/P -21A, Rdson：N 10mR/P 20mR三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XNRUSEMI(新锐)
XR3050，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，XR3050三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >XR4012
XNRUSEMI(新锐)
XR4012，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量，具备完整的功能可靠性。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SP4011ACTM
Siliup(矽普)
SP4011ACTM，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N+P MOSFET产品，耐压：40V,电流：N 60A/P -37A,Rdson:N 6.5mR/P 11mR三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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XNRUSEMI(新锐)
XR3020，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量，具备完整功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >XR4030
XNRUSEMI(新锐)
XR4030，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，XR4030是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDSON和栅极电荷。XR4030符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备完整功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >XR6020
XNRUSEMI(新锐)
XR6020，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量耐量，具备完整功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >NCE609
NCE(无锡新洁能)
NCE609，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，NCE609采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻Rₒₛ(ₒₙ)和低栅极电荷。这些互补型MOSFET可用于构成电平转换高端开关，也适用于众多其他应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >XR3012
XNRUSEMI(新锐)
XR3012，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量，具备完整的功能可靠性。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >XR6030
XNRUSEMI(新锐)
XR6030，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量，具备完整功能可靠性。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >3020
HL(富海微)
3020，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，3020 是具有高单元密度的高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。3020 符合 RoHS 和绿色产品要求，100%通过环境适应性筛选（EAS），并经过全面功三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >HSU1641
HUASHUO(华朔)
HSU1641，HUASHUO(华朔)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证单脉冲雪崩能量，具备完整功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SP4023CTM
Siliup(矽普)
SP4023CTM，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N+P MOSFET产品，耐压：40V，电流：N 17A/P -14A, Rdson：N 18mR/P 29mR三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM305MD
AGMSEMI(芯控源)
AGM305MD，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：45A/-45A 功率(Pd)：23W/31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,20A;7.6mΩ@-10V,-三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >XR3030
XNRUSEMI(新锐)
XR3030，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量，具备完整的功能可靠性。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AOD603(XBLW)
XBLW(芯伯乐)
AOD603(XBLW)，XBLW(芯伯乐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，类型: N沟道+P沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 20A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >CMD609
Cmos(广东场效应半导体)
CMD609，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，CMD609采用先进的沟槽技术MOSFET，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >CMD510B
Cmos(广东场效应半导体)
CMD510B，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，CMD510B采用先进的沟槽技术MOSFET，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >BMI403NP1136
BORN(伯恩半导体)
BMI403NP1136，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N沟道+P沟道 Vds=30V ID=45A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AOD603A-MS
MSKSEMI(美森科)
AOD603A-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，此款MOS管搭载1个N沟道+1个P沟道，采用TO-252-4L封装，他具备漏源电压(Vdss):60V，连续漏极电流(Id):13A,强大的性能，被广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、LED驱动电路、移动通信设备、笔三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >WSF4012B
WINSOK(微硕)
WSF4012B，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，Configuration N+P Type P-Ch VDS(V) -40 VGS(V) 20 ID(A)Max. -20 VGS(th)(v) -1.7 RDS(ON)(m?)@4.449V 48 Qg(nC)@4.5V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >XR20G10
XNRUSEMI(新锐)
XR20G10，XNRUSEMI(新锐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100% EAS保证，具备完整功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >WSF3013C
WINSOK(微硕)
WSF3013C，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，WSF3013C 是高性能的沟槽型 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF3013C 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，经全面功三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TM4050GD
TMC(台懋)
TM4050GD，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N沟道,40V,55A,4.2mΩ@10v,P沟道,-40V,-50A,11.5mΩ@-10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >BMI404D1538
BORN(伯恩半导体)
BMI404D1538，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N+P双MOS 40V 30A TO-252-4L封装三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >WSF6032
WINSOK(微硕)
WSF6032，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N+P沟道 60V/-60V 40A/-35A，可应用于电子烟、无线充、电机、应急电源、无人机、医疗、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >SP6012BCTM
Siliup(矽普)
SP6012BCTM，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N+P MOSFET产品，耐压：60V,电流：N 35A/P -45A,Rdson:N 15mR/P 22mR三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >SP6023CTM
Siliup(矽普)
SP6023CTM，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N+P MOSFET产品，耐压：60V,电流：N 20A/P -35A,Rdson:N 23mR/P 30mR三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >SP6012CTM
Siliup(矽普)
SP6012CTM，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N+P MOSFET产品，耐压：60V,电流：N 35A/P -60A,Rdson:N 15mR/P 17mR三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >CMD30DN03
Cmos(广东场效应半导体)
CMD30DN03，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，CMD30DN03是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，它采用极高的单元密度，以实现低导通电阻（Rdson）和低栅极电荷特性。它非常适合用于同步降压转换器应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >CMD607
Cmos(广东场效应半导体)
CMD607，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，CMD607采用先进的沟槽技术MOSFET，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >CMD607A
Cmos(广东场效应半导体)
CMD607A，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，CMD607A采用先进的沟槽技术MOSFET，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >CMD607B
Cmos(广东场效应半导体)
CMD607B，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，MOS管，TO-252-4L，N+P场，耐压：30V,电流：20A，10V内阻：0.02Ω，4.5V：0.035Ω，功率：25W，CISS（Typ）：650PF三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >CMD603B
Cmos(广东场效应半导体)
CMD603B，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，MOS管，TO-252-4L，N+P沟道，耐压：60V/-60V，电流：13A/-13A，10V内阻：63mΩ/105mΩ，4.5V内阻：76mΩ/130mΩ，功率：27W，CISS(Typ)：150PF三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >SP2011ACTM
Siliup(矽普)
SP2011ACTM，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N+P MOSFET产品，耐压：20V,电流：N 35A/P -38A,Rdson:N 8mR/P 9mR三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >SP4011CTM
Siliup(矽普)
SP4011CTM，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N+P MOSFET产品，耐压：40V,电流：N 50A/P -24A,Rdson:N 8mR/P 14mR三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >CMD40DN06
Cmos(广东场效应半导体)
CMD40DN06，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，MOS管，TO-252-4L，双N，耐压：60V，电流：40A，10V内阻：17.5mΩ，4.5V内阻：20mΩ，功率：30W，CISS(Typ)：2450PF三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >CMD603A
Cmos(广东场效应半导体)
CMD603A，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，CMD603A采用先进的沟槽技术MOSFET，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >RM77020T4S
Reactor-Micro(亚成微)
RM77020T4S，Reactor-Micro(亚成微)，电源与功率 / 功率电子开关，TO-252-4L封装，询盘确认库存，智能高侧开关-24V系统电源管理 > 功率电子开关
TO-252-4L
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查看详情 >P3004ND5G
Cmos(广东场效应半导体)
P3004ND5G，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，P3004ND5G采用先进的沟槽技术MOSFET，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >MD7672E50UB2
明达微
MD7672E50UB2，明达微，电源与功率 / 线性稳压器(LDO)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，2A电流输出,超低压差、快速响应稳压LDO电源管理 > 线性稳压器(LDO)
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查看详情 >WSF3017
WINSOK(微硕)
WSF3017，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N+P沟道 30V/-30V 24A/-18A，可应用于电子烟、无线充、电机、应急电源、无人机、医疗、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >CMD603
Cmos(广东场效应半导体)
CMD603，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，CMD603采用先进的沟槽技术MOSFET，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >MOT3029D
MOT(仁懋)
MOT3029D，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，MOT3029D三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >MOT4618D
MOT(仁懋)
MOT4618D，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，MOT4618D三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGMSEMI(芯控源)
AGM628MD-M1，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A/-19A 功率(Pd)：34W/40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36mΩ@10V,15A;60mΩ@-10V,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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Cmos(广东场效应半导体)
CMD4511，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，CMD4511采用先进的沟槽技术MOSFET，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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HUASHUO(华朔)
HSU4600，HUASHUO(华朔)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量耐量（EAS），具备完整功能可靠性认证。100% EA三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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WINSOK(微硕)
WSF3015，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N+P沟道 30V/-30V 22A/-19A，可应用于电子烟、无线充、电机、应急电源、无人机、医疗、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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Ruichips(锐骏半导体)
RU40C40L4，Ruichips(锐骏半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，特性：N沟道 40V/40A，导通电阻RDS(ON) 在VGS = 10V时为13mΩ（典型值），在VGS = 4.5V时为16mΩ（典型值）。P沟道 -40V/-40A，导通电阻RDS(ON) 在VGS = -1三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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Cmos(广东场效应半导体)
CMD30NP06，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，CMD30NP06采用先进的沟槽技术MOSFET，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MOT(仁懋)
MOT3012D，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，MOT3012D三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >WSF4015
WINSOK(微硕)
WSF4015，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N+P沟道 40V/-40V 28A/-20A，可应用于电子烟、无线充、电机、应急电源、无人机、医疗、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >MOT4025D
MOT(仁懋)
MOT4025D，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，MOT4025D三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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APEC(富鼎)
AP4525GEH，APEC(富鼎)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，先进功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AOD609G
AOS
AOD609G，AOS，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:12A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AOD661
AOS
AOD661，AOS，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，2个N沟道 耐压:30V 电流:12A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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查看详情 >CMD40NP06
Cmos(广东场效应半导体)
CMD40NP06，Cmos(广东场效应半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，MOS管，TO-252-4L，N+P沟道，耐压：60V，电流：40A，10V内阻：18mΩ，4.5V内阻：20mΩ，功率：75W，CISS(Typ)：2500PF三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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onsemi(安森美)
FDDS100H06，onsemi(安森美)，电源与功率 / 功率电子开关，TO-252-4L封装，询盘确认库存，FDDS100H06电源管理 > 功率电子开关
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查看详情 >MD7673E50UB2
明达微
MD7673E50UB2，明达微，电源与功率 / 线性稳压器(LDO)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，6V耐压，3A电流输出，静态功耗40uA,可调电压输出，压差0.16mv/mA电源管理 > 线性稳压器(LDO)
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查看详情 >NCE60NP2012K
NCE(无锡新洁能)
NCE60NP2012K，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，NCE60NP2012K三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)
NCE60NP4035K，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，NCE60NP4035K三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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Siliup(矽普)
SP4012CTM，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N+P MOSFET产品，耐压：40V，电流：N 23A/P -20A, Rdson：N 13mR/P 22mR三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TM50G04GD
TMC(台懋)
TM50G04GD，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4L封装，询盘确认库存，N沟道,40V,55A,4.2mΩ@10v,P沟道,-40V,-48A,11mΩ@-10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >封装选购
TO-252-4L 封装选购常见问题
TO-252-4L 封装在华芯购有多少可查询型号？
当前 TO-252-4L 封装页收录 68 个公开可查询型号，本页优先展示 近期可询样本。
筛选 TO-252-4L 封装型号时还要核对什么？
除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
TO-252-4L 封装找不到完全一致型号怎么办？
可以从 AOS、鑫飞宏、Siliup(矽普)、XNRUSEMI(新锐)、NCE(无锡新洁能) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)、电源管理 > 功率电子开关、电源管理 > 线性稳压器(LDO) 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。