先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
R6 封装现货型号与清单询价
围绕 R6 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 20 个公开可查询型号。
同封装核对
R6 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注,减少业务和工程反复确认。
购物路径
R6 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单,避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
BZW50-33B
ST(意法半导体)
BZW50-33B,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,瞬态抑制二极管(Transil diode)通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低电压供电的集成电路(IC)。BZW50-180
ST(意法半导体)
BZW50-180,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,瞬态抑制二极管(Transil diode)通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低电压供电的集成电路(IC)。P8S33CA
Leiditech(雷卯电子)
P8S33CA,Leiditech(雷卯电子),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,P8S系列大电流单/双向瞬态抑制器专为交流线路保护和高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件可提供20V至43V的单/双向端口保护。它们的钳位电压低于雪崩电压。因此,因电流传导增加而导致的任何电压上升都被控制在最低限度,从而提P8S36CA
Leiditech(雷卯电子)
P8S36CA,Leiditech(雷卯电子),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,P8S系列大电流单/双向瞬态抑制器专为交流线路保护和高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件可提供20V至43V的单/双向端口保护。它们的钳位电压低于雪崩电压。因此,因电流传导增加而导致的任何电压上升都被控制在最低限度,从而提BZW50-39
ST(意法半导体)
BZW50-39,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,瞬态抑制二极管(Transil diode)通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低电压供电的集成电路(IC)。BZW50-150B
ST(意法半导体)
BZW50-150B,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,瞬态抑制二极管(Transil diode)通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低电压供电的集成电路(IC)。BZW50-15B
ST(意法半导体)
BZW50-15B,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,瞬态抑制二极管(Transil diode)通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低电压供电的集成电路(IC)。15KP26CA
Leiditech(雷卯电子)
15KP26CA,Leiditech(雷卯电子),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,高电流单/双向瞬态抑制器系列专为交流线路保护和高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件提供17V至280V的单/双向端口保护。它们提供低于雪崩电压的钳位电压。因此,任何由于电流传导增加而导致的电压上升都被控制在最低限度,提供BZW50-33
ST(意法半导体)
BZW50-33,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,瞬态抑制二极管(Transil diode)通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低电压供电的集成电路(IC)。15KP28CA
Leiditech(雷卯电子)
15KP28CA,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,高电流单/双向瞬态抑制器系列专为交流线路保护和高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件提供17V至280V的单/双向端口保护。它们提供低于雪崩电压的钳位电压。因此,任何由于电流传导增加而导致的电压上升都被控制在最低限度,提供15KP28A
Leiditech(雷卯电子)
15KP28A,Leiditech(雷卯电子),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,高电流单/双向瞬态抑制器系列专为交流线路保护和高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件提供17V至280V的单/双向端口保护。它们提供低于雪崩电压的钳位电压。因此,任何由于电流传导增加而导致的电压上升都被控制在最低限度,提供尽BZW50-27
ST(意法半导体)
BZW50-27,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,瞬态抑制二极管(Transil diode)通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低电压供电的集成电路(IC)。BZW50-150
ST(意法半导体)
BZW50-150,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,瞬态抑制二极管(Transil diode)通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低电压供电的集成电路(IC)。BZW50-100B
ST(意法半导体)
BZW50-100B,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,瞬态抑制二极管(Transil diode)通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低电压供电的集成电路(IC)。BZW50-39B
ST(意法半导体)
BZW50-39B,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,瞬态抑制二极管(Transil diode)通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低电压供电的集成电路(IC)。BZW50-56B
ST(意法半导体)
BZW50-56B,ST(意法半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,瞬态抑制二极管(Transil diode)通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低电压供电的集成电路(IC)。BZW50-18
ST(意法半导体)
BZW50-18,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,瞬态抑制二极管(Transil diode)通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低电压供电的集成电路(IC)。BZW50-120B
ST(意法半导体)
BZW50-120B,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,瞬态抑制二极管(Transil diode)通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低电压供电的集成电路(IC)。BZW50-27B
ST(意法半导体)
BZW50-27B,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,瞬态抑制二极管(Transil diode)通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低电压供电的集成电路(IC)。BZW50-56
ST(意法半导体)
BZW50-56,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),R6封装,询盘确认库存,瞬态抑制二极管(Transil diode)通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件,如MOS技术器件和低电压供电的集成电路(IC)。封装选购
R6 封装选购常见问题
R6 封装在华芯购有多少可查询型号?
当前 R6 封装页收录 20 个公开可查询型号,本页优先展示 近期可询样本。
筛选 R6 封装型号时还要核对什么?
除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
R6 封装找不到完全一致型号怎么办?
可以从 ST(意法半导体)、Leiditech(雷卯电子) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)、TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD) 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。
