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R6
SET(赛尔特) · R6，SET(赛尔特)，TVS/保险丝/板级保护 > 温度保险丝(TCO)，D4xL14mm封装，询盘确认库存，温度保险丝-合金型是一次性动作而不可复位的装置。其主要由低熔点的易熔合金、助熔断剂、外壳、封口树脂和引线组成。在正常工作情况下，易熔合金与两根引线保持连接，当合金型温度保险丝感受到异常发热点并达到预定的熔断温度时，易熔合金熔化，并在助熔断剂的作用下
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15KP26CA
Leiditech(雷卯电子)
15KP26CA，Leiditech(雷卯电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，高电流单/双向瞬态抑制器系列专为交流线路保护和高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件提供17V至280V的单/双向端口保护。它们提供低于雪崩电压的钳位电压。因此，任何由于电流传导增加而导致的电压上升都被控制在最低限度，提供TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
R6
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15KP28A
Leiditech(雷卯电子)
15KP28A，Leiditech(雷卯电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，高电流单/双向瞬态抑制器系列专为交流线路保护和高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件提供17V至280V的单/双向端口保护。它们提供低于雪崩电压的钳位电压。因此，任何由于电流传导增加而导致的电压上升都被控制在最低限度，提供尽TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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15KP28CA
Leiditech(雷卯电子)
15KP28CA，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，高电流单/双向瞬态抑制器系列专为交流线路保护和高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件提供17V至280V的单/双向端口保护。它们提供低于雪崩电压的钳位电压。因此，任何由于电流传导增加而导致的电压上升都被控制在最低限度，提供三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BZW50-100B
ST(意法半导体)
BZW50-100B，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BZW50-120B
ST(意法半导体)
BZW50-120B，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BZW50-150
ST(意法半导体)
BZW50-150，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BZW50-150B
ST(意法半导体)
BZW50-150B，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BZW50-15B
ST(意法半导体)
BZW50-15B，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BZW50-18
ST(意法半导体)
BZW50-18，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BZW50-180
ST(意法半导体)
BZW50-180，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BZW50-27
ST(意法半导体)
BZW50-27，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BZW50-27B
ST(意法半导体)
BZW50-27B，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BZW50-33
ST(意法半导体)
BZW50-33，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BZW50-33B
ST(意法半导体)
BZW50-33B，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BZW50-39
ST(意法半导体)
BZW50-39，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BZW50-39B
ST(意法半导体)
BZW50-39B，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BZW50-56
ST(意法半导体)
BZW50-56，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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BZW50-56B
ST(意法半导体)
BZW50-56B，ST(意法半导体)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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P8S33CA
Leiditech(雷卯电子)
P8S33CA，Leiditech(雷卯电子)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，R6封装，询盘确认库存，P8S系列大电流单/双向瞬态抑制器专为交流线路保护和高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件可提供20V至43V的单/双向端口保护。它们的钳位电压低于雪崩电压。因此，因电流传导增加而导致的任何电压上升都被控制在最低限度，从而提TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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