封装现货

PDFN3x3-8L 封装现货型号与BOM询价

围绕 PDFN3x3-8L 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 75 个公开可查询型号。

进入实时筛选候选转 BOM提交封装需求对比前 5 个
75匹配型号 8常见品牌 1相关分类
按品牌继续
ElecSuper(静芯)21TMC(台懋)17MOT(仁懋)12ALLPOWER(铨力)10HL(富海微)8JJW(捷捷微)4KTP(科泰普)1Slkor(萨科微)1
按分类继续
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)75
采购提示
批量转 BOM提交封装需求实时筛选
封装核对PDFN3x3-8L 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。

同封装核对

PDFN3x3-8L 同封装兼容说明

同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、PDF 证据和不可放宽条件放到同一张备注清单里。

同封装对比 封装需求转 BOM 提交封装需求 查看判断方法
完整MPN

先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。

引脚/尺寸

核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。

关键参数

电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。

制造商PDF

以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。

数量交期

同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。

不可放宽

把不能替代的参数写入 BOM 备注，减少业务和工程反复确认。

样本候选
APG250N01QALLPOWER(铨力) · PDFN3x3-8L转 BOMESN4832ElecSuper(静芯) · PDFN3x3-8L转 BOMAONR21357-ESElecSuper(静芯) · PDFN3x3-8L转 BOM

封装核对

PDFN3x3-8L 封装核对指南

把封装页从“型号列表”变成采购员可执行的筛选台：先统一封装写法，再按品牌、类目、库存和资料把候选缩小到可核价范围。

0 现货样本 / 75 个可查询型号
可合并检索写法
PDFN3X3-8LPDFN3X38L
01

先识别封装写法

PDFN3x3-8L 可能会和 PDFN3X38L 同时出现在资料或BOM里，先统一封装关键词再筛型号。

02

再核对品牌与类目

当前样本覆盖 ElecSuper(静芯)、TMC(台懋)、MOT(仁懋)、ALLPOWER(铨力)，常见分类包括 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，避免只按封装忽略应用参数。

03

保留可替代候选

同封装型号可先暂存或对比，提交 BOM 时写明可接受品牌、参数范围和交期要求。

04

下单前复查资料

封装页是入口，最终仍需核对制造商 PDF、引脚数、尺寸图、批号、包装和检测资料。

按 PDFN3x3-8L 筛现货型号 对比候选型号 候选转 BOM 提交封装需求

采购备注

PDFN3x3-8L 封装采购备注模板

把入口页里的候选型号、品牌封装、不可放宽参数和交付要求整理成可提交备注，方便业务继续确认库存、替代边界和报价。

带备注提交 BOM 
采购入口：PDFN3x3-8L 封装
候选型号：APG250N01Q / ESN4832 / AONR21357-ES / ESN4485 / TMG60N04DF / AP90P03Q
品牌/制造商范围：ElecSuper(静芯) / TMC(台懋) / MOT(仁懋) / ALLPOWER(铨力) / HL(富海微)
分类范围：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
封装线索：PDFN3x3-8L
需求数量：请按型号填写目标数量、阶梯数量或年用量
不可放宽参数：完整MPN、品牌/制造商、封装、引脚、电压、电流、温度等级、认证、替代边界
可接受替代范围：请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代
交付要求：批号、包装、交期、检测资料、含税报价、付款和交付条件
公开库存和价格仅用于采购初筛，最终以业务人员确认报价为准

采购路径

PDFN3x3-8L 封装采购路径

把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。

品牌ElecSuper(静芯) / TMC(台懋) / MOT(仁懋) / ALLPOWER(铨力) 封装PDFN3x3-8L
01

进入实时筛选

按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。

02

保留候选型号

把优先样本带入对比或 BOM，避免从搜索入口反复重新查找。

03

统一核价

业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。

04

资料复核

采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。

进入实时筛选 对比前 4 个 候选转 BOM 提交PDFN3x3-8L 封装需求

采购问答

同封装型号能直接替代吗？

不能直接判断。插件、SOIC-8、SOT-23、0603、SOP-8、SMD3225-4P 这类封装入口只适合初筛，正式替代还要逐项核对完整 MPN、引脚定义、外形尺寸、关键电气参数、温度等级、生命周期、制造商 PDF 和应用场景，并把原型号、候选型号、数量、交期和不可放宽参数一起提交 BOM 复核。

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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

APG250N01Q

ALLPOWER(铨力)

APG250N01Q，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：100V, 25A，RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 10V (典型值: 20mΩ)，RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 4.5V (典型值: 30mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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ESN4832

ElecSuper(静芯)

ESN4832，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，2个N沟道，30V，27.0A，11.5mΩ@10V,8.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AONR21357-ES

ElecSuper(静芯)

AONR21357-ES，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，P沟道，-30V，-50A，5.8mΩ@-10.0V,-20A，-2.5V@-250μA；应用领域：锂电池保护板、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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ESN4485

ElecSuper(静芯)

ESN4485，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，P沟道，-40V，-34A，13mΩ@-10V,-10A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TMG60N04DF

TMC(台懋)

TMG60N04DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道,40V,60A,6.9mΩ@10v
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AP90P03Q

ALLPOWER(铨力)

AP90P03Q，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：-30V, -60A。 RDS(ON) < 7.5mΩ @VGS = -10V。 RDS(ON) < 12mΩ @VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载
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TMN6030DF

TMC(台懋)

TMN6030DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道,60V,30A,28mΩ@10v
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TMGN4060DF

TMC(台懋)

TMGN4060DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道,40V,60A,6.9mΩ@10v
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ESN7414

ElecSuper(静芯)

ESN7414，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道，30V，23A，10.0mΩ@10V,10.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TM60P03DF

TMC(台懋)

TM60P03DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，P沟道,-30V,-60A,7.5mΩ@-10v
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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2P15D

HL(富海微)

2P15D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，工艺:沟槽，类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-150，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-2～-4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):650/700，连续漏极电流ID(A):-2.2A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AP60P20Q

ALLPOWER(铨力)

AP60P20Q，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：20V, -60A。 RDS(ON) < 7.0mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 9.0mΩ @ VGS = -2.5V。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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S120N04D

HL(富海微)

S120N04D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，工艺:SGT，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):40，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1.2～2.2，导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.1/2.8，连续漏极电流ID(A):120A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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S25V06D

HL(富海微)

S25V06D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：采用分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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S80N04D

HL(富海微)

S80N04D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，工艺:SGT，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):40，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1～2.2，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.4/4.1，连续漏极电流ID(A):80A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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90N03D

HL(富海微)

90N03D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：超低栅极电荷。 100%保证EAS。 有环保器件可供选择。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。 负载开关
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AP30H150Q

ALLPOWER(铨力)

AP30H150Q，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：30V, 105A。 RDS(ON) <3.8mΩ @VGS = 10V。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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JMTQ130P04A

JJW(捷捷微)

JMTQ130P04A，JJW(捷捷微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，P沟道增强型功率MOSFET
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ESN4486

ElecSuper(静芯)

ESN4486，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道，100V，10A，82mΩ@10V,4.0A，1.8V@250uA；应用领域：断路器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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ESN7409

ElecSuper(静芯)

ESN7409，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，P沟道,-30V,-32A,8.0mΩ@10V,-12A,-1.4V@250uAL；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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JMTQ100N04A

JJW(捷捷微)

JMTQ100N04A，JJW(捷捷微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道增强型功率MOSFET旨在保护对电压敏感的组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TM20N03DF

TMC(台懋)

TM20N03DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道,30V,20A,15mΩ@10v
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TM20P06DF

TMC(台懋)

TM20P06DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，P沟道,-60V,-20A,49mΩ@-10v
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MOT3136J

MOT(仁懋)

MOT3136J，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻。 出色的封装，具备良好的散热性能。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MOT2155J

MOT(仁懋)

MOT2155J，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：超低导通电阻。 低栅极电荷。 无铅镀铅。应用：计算机电源管理。 负载开关、快速/无线充电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AP60N04Q

ALLPOWER(铨力)

AP60N04Q，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：40V，30A。 RDS(ON) < 9.3mΩ @VGS = 10V，典型值7.4mΩ。 RDS(ON) < 14.3mΩ @VGS = 4.5V，典型值10.4mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AON7534-ES

ElecSuper(静芯)

AON7534-ES，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道，30V，45A，4.0mΩ@10V,20A，1.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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WPM3033-8/TR

WILLSEMI(韦尔)

WPM3033-8/TR，WILLSEMI(韦尔)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，WPM3033 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SIS412DN-T1-GE3-ES

ElecSuper(静芯)

SIS412DN-T1-GE3-ES，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道，30V，26A，16.0mΩ@10V,20.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AON7407-ES

ElecSuper(静芯)

AON7407-ES，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，P沟道，-20V，-42A，8mΩ@-4.5V,-14A，-0.65V@-250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3x3-8L
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AP2716QD

ALLPOWER(铨力)

AP2716QD，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：N-Channel VDD=40V, ID=16A，RDS ON < 22mΩ @VGS = 10V，RDS ON < 30mΩ @VGS = 4.5V。P-Channel VDD=40V, ID=-16A，RDS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3x3-8L
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APG068N04Q

ALLPOWER(铨力)

APG068N04Q，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：40V，54A，RDS(ON) < 6.8mΩ @VGS = 10V（典型值：5.7mΩ），RDS(ON) < 11mΩ @VGS = 4.5V（典型值：8.5mΩ）。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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ESN4838

ElecSuper(静芯)

ESN4838，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，2个N沟道，30V，33A，7.5mΩ@10V,20A，1.4V@250uA；用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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JMTQ3008A

JJW(捷捷微)

JMTQ3008A，JJW(捷捷微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：30V, 30A。 RDS(ON) < 8.6mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 12.9mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用：负载开关。 P
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AP150N03Q

ALLPOWER(铨力)

AP150N03Q，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：30V，120A。 RDS (ON) < 3.2mΩ @VGS = 10V。 RDS (ON) < 6.2mΩ @VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS (ON)和低栅极电荷。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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80N03D

HL(富海微)

80N03D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，80N03D是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80N03D符合RoHS标准，属于绿色产品，100%保证具有雪崩耐量（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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60N02D

HL(富海微)

60N02D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，60N02D是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。60N02D符合RoHS标准，属于绿色产品，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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40N02D

HL(富海微)

40N02D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，40N02D 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N02D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证
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AP30P30Q-ES

ElecSuper(静芯)

AP30P30Q-ES，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，P沟道,-30V,-39A,8.0mΩ@10V,-12A,-1.4V@250uAL；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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TMP3055DF

TMC(台懋)

TMP3055DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，P沟道,-30V,-55A,8.5mΩ@-10v
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TM30G03DF

TMC(台懋)

TM30G03DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道,30V,33A,9mΩ@10v,P沟道,-30V,-28A,19mΩ@-10v
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TM20G03DF

TMC(台懋)

TM20G03DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：低导通电阻（RDS(ON)）。 符合RoHS和无卤标准
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AON7544-ES

ElecSuper(静芯)

AON7544-ES，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道，30V，45A，4.0mΩ@10V,20A，1.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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SL90P03G

Slkor(萨科微)

SL90P03G，Slkor(萨科微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，该功率MOSFET采用先进的沟槽技术生产。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
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TM70P02DF

TMC(台懋)

TM70P02DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，P沟道,-20V,-70A,5mΩ@-4.5v
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MOT6511J

MOT(仁懋)

MOT6511J，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：低RDS(ON)。低栅极电荷。无铅镀铅。无卤且符合ROHS标准。应用：电动工具中的电机驱动。电动汽车机器人
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MOT2914J

MOT(仁懋)

MOT2914J，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：极低导通电阻RDS(on)。 无铅镀铅。应用：DC/DC转换器。 适用于高频开关和同步整流
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APG035N04Q

ALLPOWER(铨力)

APG035N04Q，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：40V，100A，RDS(ON) < 3.2mΩ @VGS = 10V (典型值:2.8mΩ)，RDS(ON) < 5.2mΩ @VGS = 4.5V (典型值:4.3mΩ)。 Split Gate Trenc
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TM55P03DF

TMC(台懋)

TM55P03DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，P沟道,-30V,-55A,8.5mΩ@-10v
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MOT3718J

MOT(仁懋)

MOT3718J，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：高功率和电流处理能力。 符合无铅产品要求。 表面贴装封装。应用：PWM应用。 负载开关
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TM50N03DF

TMC(台懋)

TM50N03DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道,30V,50A,7mΩ@10v
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MOT4712J

MOT(仁懋)

MOT4712J，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：低栅极电荷。 无铅镀铅。应用：基于半桥的电子灯镇流器。 负载开关、快速/无线充电
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FDMC510P-ES

ElecSuper(静芯)

FDMC510P-ES，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，P沟道，-20V，-42A，8mΩ@-4.5V,-14A，-0.65V@-250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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BSZ040N04A

KTP(科泰普)

BSZ040N04A，KTP(科泰普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，BSZ040N04A 采用先进的 SGT 技术生产。该先进技术经过特别定制，可最大程度降低传导损耗、提供卓越的开关性能，并可承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
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ESN7410

ElecSuper(静芯)

ESN7410，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道，30V，25A，14.0mΩ@10V,8.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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TM30N06DF

TMC(台懋)

TM30N06DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道,60V,30A,24mΩ@10v
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TM80N03DF

TMC(台懋)

TM80N03DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道,30V,80A,4mΩ@10v
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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ESN7534

ElecSuper(静芯)

ESN7534，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道，30V，45A，4.0mΩ@10V,20A，1.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MOT4513J

MOT(仁懋)

MOT4513J，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：极低导通电阻RDS(on)。 高EAS下具有良好的稳定性和均匀性。 无铅镀铅。应用：DC/DC转换器。 适用于高频开关和同步整流
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ESJAB35P03

ElecSuper(静芯)

ESJAB35P03，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-31A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.5
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MOT3140J

MOT(仁懋)

MOT3140J，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：较低的RDS(ON)以最小化传导损耗。 可靠且耐用。 符合ROHS标准且无卤。 100%进行UIS和Rg测试。应用：便携式设备和电池供电系统。 笔记本电脑的电源管理
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MOT4633J

MOT(仁懋)

MOT4633J，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：先进的沟槽单元设计。低热阻。应用：电机驱动。DC-DC转换器
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MOT4160J

MOT(仁懋)

MOT4160J，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 具有良好的稳定性和均匀性，高抗雪崩能力。 出色的封装，利于散热。 采用特殊工艺技术，具备高静电防护能力。应用：负载开关。 硬开关和高频电路
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TM10N10DF

TMC(台懋)

TM10N10DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，低RDS(ON)。符合RoHS和无卤标准
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JMTQ200P03A

JJW(捷捷微)

JMTQ200P03A，JJW(捷捷微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：VDS = -30V，ID = -12A。 RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 34mΩ @ VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。
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MOT2378J

MOT(仁懋)

MOT2378J，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：低栅极电荷。 无铅镀铅。应用：基于半桥的电子灯镇流器。 负载开关、快速/无线充电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AON7264E(ES)

ElecSuper(静芯)

AON7264E(ES)，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，AON7264E(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
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AP20N100Q

ALLPOWER(铨力)

AP20N100Q，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:100V 电流:16A 停产
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CJAB35P03-ES

ElecSuper(静芯)

CJAB35P03-ES，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-8A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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ESN4186

ElecSuper(静芯)

ESN4186，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道，45V，36A，16mΩ@10V,20A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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ESN4842

ElecSuper(静芯)

ESN4842，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，2个N沟道，30V，30.0A，15.0mΩ@10V,20.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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ESN7403

ElecSuper(静芯)

ESN7403，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-8A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MOT2165J

MOT(仁懋)

MOT2165J，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，特性：低反向传输电容。 快速开关能力。应用：电源开关应用。 笔记本电脑Vcore
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TM100N03DF

TMC(台懋)

TM100N03DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，N沟道,30V,100A,2.5mΩ@10v
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TMP6020DF

TMC(台懋)

TMP6020DF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，P沟道,-60V,-20A,49mΩ@-10v
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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采购问答

PDFN3x3-8L 封装采购常见问题

PDFN3x3-8L 封装在华芯购有多少可查询型号？

当前 PDFN3x3-8L 封装页收录 75 个公开可查询型号，本页优先展示 近期可询样本。

筛选 PDFN3x3-8L 封装型号时还要核对什么？

除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。

PDFN3x3-8L 封装找不到完全一致型号怎么办？

可以从 ALLPOWER(铨力)、ElecSuper(静芯)、TMC(台懋)、HL(富海微)、JJW(捷捷微) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。