先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。
PACKAGE STOCK
PDFN3333-8 封装现货型号与BOM询价
围绕 PDFN3333-8 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 32 个公开可查询型号。
PACKAGE COMPATIBILITY
PDFN3333-8 同封装兼容核对台
同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、PDF 证据和不可放宽条件放到同一张核对表里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入 BOM 备注,减少业务和工程反复确认。
PACKAGE DECISION
PDFN3333-8 封装核对指南
把封装页从“型号列表”变成采购员可执行的筛选台:先统一封装写法,再按品牌、类目、库存和资料把候选缩小到可核价范围。
先识别封装写法
PDFN3333-8 可能会和 PDFN33338 同时出现在资料或BOM里,先统一封装关键词再筛型号。
再核对品牌与类目
当前样本覆盖 Vergiga(威兆)、APM(永源微电子)、Techcode(泰德)、ARK(方舟微),常见分类包括 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),避免只按封装忽略应用参数。
保留可替代候选
同封装型号可先暂存或对比,提交 BOM 时写明可接受品牌、参数范围和交期要求。
下单前复查资料
封装页是入口,最终仍需核对制造商 PDF、引脚数、尺寸图、批号、包装和检测资料。
采购入口:PDFN3333-8 封装 候选型号:AP30P30Q / HKTQ80N03 / VS3508AE / VS3622AE / VS4620GEMC / AKF30N5P0SX 品牌/制造商范围:Vergiga(威兆) / APM(永源微电子) / Techcode(泰德) / ARK(方舟微) / Hottech(合科泰) 分类范围:三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 封装线索:PDFN3333-8 需求数量:请按型号填写目标数量、阶梯数量或年用量 不可放宽参数:完整MPN、品牌/制造商、封装、引脚、电压、电流、温度等级、认证、替代边界 可接受替代范围:请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代 交付要求:批号、包装、交期、检测资料、含税报价、付款和交付条件 公开库存和价格仅用于采购初筛,最终以业务人员确认报价为准
SOURCING PATH
PDFN3333-8 封装采购路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或 BOM,避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
AP30P30Q
ALLPOWER(铨力)
AP30P30Q,ALLPOWER(铨力),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,AP30P30Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。HKTQ80N03
Hottech(合科泰)
HKTQ80N03,Hottech(合科泰),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,特性:VDS = 30V,RDS(ON) ≤ 5.2mΩ @VGS = 10V,ID = 20A。 超低导通电阻。 适用于低功率直流到直流转换器应用。 适用于负载开关应用。 表面贴装器件VS3508AE
Vergiga(威兆)
VS3508AE,Vergiga(威兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,P沟道 -30V -47AVS3622AE
Vergiga(威兆)
VS3622AE,Vergiga(威兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,N沟道 30V 45AVS4620GEMC
Vergiga(威兆)
VS4620GEMC,Vergiga(威兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,40V, 36A N沟道 Advanced Power MOSFETAKF30N5P0SX
ARK(方舟微)
AKF30N5P0SX,ARK(方舟微),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,增强型MOSFETVS3622DE
Vergiga(威兆)
VS3622DE,Vergiga(威兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,N沟道 30V 35APTN30P03
PUOLOP(迪浦)
PTN30P03,PUOLOP(迪浦),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,特性:4.5V逻辑电平控制。 PDFN3333贴片封装。应用:高端负载开关。 电池开关VS3618AE
Vergiga(威兆)
VS3618AE,Vergiga(威兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,N沟道 30V 50AHKTQ50N03
Hottech(合科泰)
HKTQ50N03,Hottech(合科泰),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,特性:VDS = 30V,RDS(ON) ≤ 8.5mΩ @VGS = 10V,ID = 20A。 超低导通电阻。 表面贴装器件。应用:低功耗 DC-DC 转换器应用。 负载开关应用PTQ45P02
PUOLOP(迪浦)
PTQ45P02,PUOLOP(迪浦),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,特性:1.8V逻辑电平控制。 PDFN3333贴片封装。应用:高端负载开关。 电池开关TF040N03M
TF(拓锋)
TF040N03M,TF(拓锋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,TF040N0 3M将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。VS3620GEMC
Vergiga(威兆)
VS3620GEMC,Vergiga(威兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,耐压:30V 电流:60ATDM3482
Techcode(泰德)
TDM3482,Techcode(泰德),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,类型 N 漏源电压(Vdss) 40 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 12 导通电阻(mΩ) 9.5 输入电容(Ciss) 700 反向传输电容Crss(pF) 30 栅极电荷(Qg) 10.7VS3610AE
Vergiga(威兆)
VS3610AE,Vergiga(威兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,N沟道 30V 64AVS3522AE
Vergiga(威兆)
VS3522AE,Vergiga(威兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,P沟道 -30V -27AVS3625GEMC
Vergiga(威兆)
VS3625GEMC,Vergiga(威兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,耐压:30V 电流:60AVSE025N10HS
Vergiga(威兆)
VSE025N10HS,Vergiga(威兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,耐压:100V 电流:28AAKF30N10S
ARK(方舟微)
AKF30N10S,ARK(方舟微),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,增强型MOSFETAP30P02DF
APM(永源微电子)
AP30P02DF,APM(永源微电子),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,P沟道增强型MOSFET,电流:-30A,耐压:-20VAP50P02DF
APM(永源微电子)
AP50P02DF,APM(永源微电子),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,P沟道增强型MOSFET,电流:-50A,耐压:-20VAP60N03DF
APM(永源微电子)
AP60N03DF,APM(永源微电子),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,N沟道,电流:60A,耐压:30VASDM30DN40E-R
ASDsemi(安森德)
ASDM30DN40E-R,ASDsemi(安森德),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,特性:增强模式。低导通电阻RDS(on)(VGS = 4.5V时)。快速开关和高效率。无铅引脚镀层;符合RoHS标准D4884
TF(拓锋)
D4884,TF(拓锋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,D4884是一款高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。D4884符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过易感性雪崩耐量(EAS)测试,且通过了全功能可RU3040M2
Ruichips(锐骏半导体)
RU3040M2,Ruichips(锐骏半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,N 沟道,30V,40A,5.8mΩ@10VTDM3307A
Techcode(泰德)
TDM3307A,Techcode(泰德),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,P沟道 -30V 18mΩ@4.5VTDM3548
Techcode(泰德)
TDM3548,Techcode(泰德),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,类型 N 漏源电压(Vdss) 30 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 13 导通电阻(mΩ) 6.8 输入电容(Ciss) 690 反向传输电容Crss(pF) 113 栅极电荷(Qg) 7VS2622AE
Vergiga(威兆)
VS2622AE,Vergiga(威兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,N沟道 20V 56AVS4618AE
Vergiga(威兆)
VS4618AE,Vergiga(威兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,N沟道 40V 43AVS6412AE
Vergiga(威兆)
VS6412AE,Vergiga(威兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,N沟道 65V 30AVS6614GE
Vergiga(威兆)
VS6614GE,Vergiga(威兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,特性:增强模式。 低导通电阻RDS(on),在VGS = 4.5V时。 VitoMOS II技术。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准VSE090N10MS
Vergiga(威兆)
VSE090N10MS,Vergiga(威兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN3333-8封装,询盘确认库存,N沟道 100V 14APACKAGE FAQ
PDFN3333-8 封装采购常见问题
PDFN3333-8 封装在华芯购有多少可查询型号?
当前 PDFN3333-8 封装页收录 32 个公开可查询型号,本页优先展示 近期可询样本。
筛选 PDFN3333-8 封装型号时还要核对什么?
除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
PDFN3333-8 封装找不到完全一致型号怎么办?
可以从 ALLPOWER(铨力)、Hottech(合科泰)、Vergiga(威兆)、ARK(方舟微)、PUOLOP(迪浦) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。
