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类目：
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
品牌：
Vergiga(威兆)APM(永源微电子)Techcode(泰德)ARK(方舟微)Hottech(合科泰)PUOLOP(迪浦)TF(拓锋)ALLPOWER(铨力)ASDsemi(安森德)Ruichips(锐骏半导体)
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AKF30N10S

ARK(方舟微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AKF30N5P0SX

ARK(方舟微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AP30P02DF

APM(永源微电子)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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AP30P30Q

ALLPOWER(铨力)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AP50P02DF

APM(永源微电子)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AP60N03DF

APM(永源微电子)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASDM30DN40E-R

ASDsemi(安森德)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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D4884

TF(拓锋)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):28A
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HKTQ50N03

Hottech(合科泰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HKTQ80N03

Hottech(合科泰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTN30P03

PUOLOP(迪浦)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTQ45P02

PUOLOP(迪浦)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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RU3040M2

Ruichips(锐骏半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TDM3307A

Techcode(泰德)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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TDM3482

Techcode(泰德)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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TDM3548

Techcode(泰德)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TF040N03M

TF(拓锋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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VS2622AE

Vergiga(威兆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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VS3508AE

Vergiga(威兆)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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VS3522AE

Vergiga(威兆)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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VS3610AE

Vergiga(威兆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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VS3618AE

Vergiga(威兆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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VS3620GEMC

Vergiga(威兆)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):60A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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VS3622AE

Vergiga(威兆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN3333-8
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